1. 設備用途

本設備主要供大專院校、科研單位等針對金屬化合物、陶瓷、無機化合物、納米材料等在真空或保護氣氛的條件下進行加壓加熱燒結處理，以便獲得高致密度的產品，例如生產高精度氮化硅陶瓷軸承等。

2. 主要技術參數

2. 1電源：三相 380V 50Hz

2.2 額定功率：≤8Kw

2.3 設計溫度：1000℃

2.4 工作區尺寸：120*120*120（L*W*H，mm）

2.5 控溫區數：一區

2.6 控溫方式：熱電偶

2.7 控溫精度：±1℃

2.8 冷態極限真空度：6.67*10-3Pa（空爐、冷態、烘烤除氣后）

2.9 壓升率：4Pa/h

2.10 充氣氣氛：惰性氣體

2.11 充氣壓力（微正壓）：≤0.03MPa

2.12 設計壓力：5T 雙向加壓（數顯、自動調壓、自動保壓、伺服電動缸）

2.13 壓頭直徑：Ф40mm

2.14 壓力波動：≤±100N，位移精度≥0.01mm

2.15 壓力行程：0～80mm（數顯）

2.16 壓力控制：伺服電動控制